A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
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A、使預應力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預應力筋的位置
D、防止預應力筋的腐蝕
A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預應力筋回縮
A、達到95%預應力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達到90%預應力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達到120%預應力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達到110%預應力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護層厚度不小于50mm
C、外露預應力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預應力筋的保護層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預應力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實驗能完全反映錨具性能
D、錨具外露端應有防護措施
A、實驗應在1小時內(nèi)做完
B、試驗段長度應為2米
C、實驗前應做硬度試驗
D、最終的總應變越小越好
A、錨頭端預應力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
可用作硅片的研磨材料是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列是晶體的是()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。