A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
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A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
A、完全退火
B、再結(jié)晶退火
C、正火
D、去應力退火
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()