A、石灰石
B、方解石
C、泥灰?guī)r
D、白堊
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
A、粉體制備
B、原料的破碎
C、成型
D、高溫?zé)崽幚?/p>
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
A、兩磨一燒
B、一磨兩燒
C、兩磨兩燒
D、三磨一燒
A、硬度
B、強(qiáng)度
C、韌性
D、脆性
A、日用瓷
B、建筑瓷
C、硅酸鹽陶瓷
D、結(jié)構(gòu)陶瓷
A、硼酸鹽玻璃
B、硅酸鹽玻璃
C、金屬玻璃
D、硒玻璃
A、水硬性膠凝材料
B、非水硬性膠凝材料
C、氣硬性膠凝材料
D、水泥
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
硅片拋光在原理上不可分為()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
PN結(jié)的基本特性是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。