A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機械強度
D、補償坯體收縮作用
A、反應(yīng)劑
B、助熔劑
C、穩(wěn)定劑
D、澄清劑
A、方解石
B、泥灰?guī)r
C、白泥
D、白堊
A、石灰石
B、方解石
C、泥灰?guī)r
D、白堊
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
A、粉體制備
B、原料的破碎
C、成型
D、高溫?zé)崽幚?/p>
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
改良西門子法的顯著特點不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()