A、C4S
B、C4AF
C、C3AF
D、C12A7
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A、破碎
B、干燥
C、篩分
D、煅燒
A、氟化合物
B、硼化合物
C、鋇化合物
D、磷化合物
A、玻璃
B、耐火材料
C、水泥
D、陶瓷
A、沉淀
B、溶解
C、粉合
D、A+B
A、α-C2S
B、C3A
C、β-C2S
D、γ-C2S
A、融化
B、熔劑
C、溶質(zhì)
D、熔制
A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
A、長(zhǎng)石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長(zhǎng)大
C、提高產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度
D、提高介電性能
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。