A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
A、0.2—1nm
B、1—3nm
C、3—幾百nm
D、微米以上
A、CaO
B、Al2O3
C、Fe2O3
D、SiO2
A、C4S
B、C4AF
C、C3AF
D、C12A7
A、破碎
B、干燥
C、篩分
D、煅燒
A、氟化合物
B、硼化合物
C、鋇化合物
D、磷化合物
A、玻璃
B、耐火材料
C、水泥
D、陶瓷
A、沉淀
B、溶解
C、粉合
D、A+B
A、α-C2S
B、C3A
C、β-C2S
D、γ-C2S
A、融化
B、熔劑
C、溶質(zhì)
D、熔制
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
PN結(jié)的基本特性是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。