A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
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A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤滑劑
A、2
B、3
C、4
D、5
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。