A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
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你可能感興趣的試題
A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤滑劑
A、2
B、3
C、4
D、5
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實(shí)質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
A、85%
B、90%
C、95%
D、98%
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();