A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗(yàn)公式表示
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你可能感興趣的試題
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤(rùn)滑劑
A、2
B、3
C、4
D、5
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。