A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動性好
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A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗公式表示
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤滑劑
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
PN結(jié)的基本特性是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()