A、誘導(dǎo)期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
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A、色散
B、玻璃的組成
C、溫度的影響
D、波長的影響
A、色散
B、反射
C、吸收
D、透過
A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴(kuò)展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
A、固液氣三相
B、固液兩相
C、固氣兩相
D、液氣兩相
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()