A、結晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
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A、固液氣三相
B、固液兩相
C、固氣兩相
D、液氣兩相
A、初始水解期
B、鈣礬石形成期
C、C3S水化期
D、結構形成和發(fā)展期
A、抗凍性
B、堿-集料反應
C、抗炭化性
D、徐變性
A、穩(wěn)定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆積密度大
B、觸變性適當
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動性好
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學組成表示
D、實驗公式表示
A.結晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
最新試題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
硅片拋光在原理上不可分為()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。