A、色散
B、反射
C、吸收
D、透過
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A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴(kuò)展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
A、固液氣三相
B、固液兩相
C、固氣兩相
D、液氣兩相
A、初始水解期
B、鈣礬石形成期
C、C3S水化期
D、結(jié)構(gòu)形成和發(fā)展期
A、抗凍性
B、堿-集料反應(yīng)
C、抗炭化性
D、徐變性
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
硅片拋光在原理上不可分為()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()