A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
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你可能感興趣的試題
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
A、固液氣三相
B、固液兩相
C、固氣兩相
D、液氣兩相
A、初始水解期
B、鈣礬石形成期
C、C3S水化期
D、結(jié)構(gòu)形成和發(fā)展期
A、抗凍性
B、堿-集料反應(yīng)
C、抗炭化性
D、徐變性
A、穩(wěn)定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動性好
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實驗公式表示
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。