A、障礙物對(duì)超聲波的傳播幾乎沒有影響
B、波到達(dá)障礙物后形成新的波源向四周發(fā)射
C、超聲波將發(fā)生反射、折射和透射
D、有如射波的反射和透射
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A、θ=57λ/D
B、θ=57λ/b
C、θ=57λ/a
D、B和C都對(duì)
A、指向性
B、近場(chǎng)區(qū)
C、振速
D、入射
A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
A、tp=1+rp
B、R=rp2
C、D=1-rp2
D、以上都不對(duì)
A、(Z2-Z1)/(Z1+Z2)
B、2Z2/(Z1+Z2)
C、4Z1×Z2/(Z1+Z2)2
D、[(Z2-Z1)/(Z1+Z2)]2
A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個(gè)球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
A、3200和3200
B、3200和5900
C、5900和5900
D、以上都不對(duì)
A、特性
B、形狀
C、方向
D、以上都不對(duì)
最新試題
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
掃查方式一般視試件的()而定。
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
各類渦流檢測(cè)儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。
渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。