A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
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A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
A、特征X射線
B、示性X射線
C、熒光輻射
D、以上都對(duì)
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、連續(xù)X射線
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、以上都是
A、中子
B、分子
C、光子
D、光子、中子
A、1.6726×10-24克
B、3.167×10-27克
C、9.109×10-31克
D、5.478×10-24克
A、像質(zhì)計(jì)
B、膠片
C、評(píng)定尺
D、增感屏
A、報(bào)警電路
B、接收電路
C、同步電路
D、時(shí)基電路
A、鍛件
B、棒坯
C、鑄錠
D、薄板
A、粗糙表面回波幅度高
B、無(wú)影響
C、光滑表面回波幅度高
D、以上都可能
最新試題
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。