A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
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A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
A、特征X射線
B、示性X射線
C、熒光輻射
D、以上都對(duì)
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、連續(xù)X射線
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、以上都是
A、中子
B、分子
C、光子
D、光子、中子
A、1.6726×10-24克
B、3.167×10-27克
C、9.109×10-31克
D、5.478×10-24克
A、像質(zhì)計(jì)
B、膠片
C、評(píng)定尺
D、增感屏
A、報(bào)警電路
B、接收電路
C、同步電路
D、時(shí)基電路
A、鍛件
B、棒坯
C、鑄錠
D、薄板
最新試題
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
掃查方式一般視試件的()而定。
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
對(duì)于長(zhǎng)條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()