A、光電效應(yīng)
B、湯姆遜效應(yīng)
C、康普頓效應(yīng)
D、電子對(duì)產(chǎn)生
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A、無(wú)變化
B、有明顯變化
C、衍射斑紋的形成與管電壓無(wú)關(guān)
D、以上全是
A、對(duì)比度
B、清晰度
C、a和b
D、以上都不是
A、康普頓效應(yīng)
B、電子對(duì)
C、光電效應(yīng)
D、散射效應(yīng)
A、停顯液
B、醋酸
C、水
D、以上都不對(duì)
A、停顯液、醋酸、水
B、顯影液、醋酸、水
C、顯影液、定影液、水
D、顯影液、定影液、醋酸
A、暗
B、亮
C、與透過(guò)底片的光亮度相同
D、以上都不對(duì)
A、30cd/m2
B、100cd/m2
C、1000cd/m2
D、3000cd/m2
A、底片靈敏度
B、底片寬容度
C、底片清晰度
D、源的強(qiáng)度
A、試件厚度差
B、射線的質(zhì)
C、散射線
D、以上均不對(duì)
A、前散射
B、背散射
C、側(cè)面散射
D、以上都不是
最新試題
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射,相應(yīng)的可檢缺陷尺寸()
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的()
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()