A、暗
B、亮
C、與透過底片的光亮度相同
D、以上都不對(duì)
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A、30cd/m2
B、100cd/m2
C、1000cd/m2
D、3000cd/m2
A、底片靈敏度
B、底片寬容度
C、底片清晰度
D、源的強(qiáng)度
A、試件厚度差
B、射線的質(zhì)
C、散射線
D、以上均不對(duì)
A、前散射
B、背散射
C、側(cè)面散射
D、以上都不是
A、左移
B、右移
C、上移
D、下移
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、電子對(duì)生成效應(yīng)
D、電離效應(yīng)
A、射線源種類或管電壓有關(guān)
B、被檢材料種類和密度
C、X光管陽極靶原子序數(shù)有關(guān)
D、被檢材料的原子序數(shù)
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
最新試題
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
無損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為()mm,峰值波長(zhǎng)為365mm。
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì),它反映子實(shí)體滿足需要的()
各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。