多項(xiàng)選擇題低同步晶閘管串級(jí)調(diào)速的主電路包含以下幾個(gè)部分（）。

A.三相橋式整流器
B.三相橋式有源逆變器
C.逆變變壓器
D.斬波器


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1.多項(xiàng)選擇題常用的反并聯(lián)可逆電路有：（）。

A.邏輯無環(huán)流
B.邏輯有環(huán)流
C.有環(huán)流
D.錯(cuò)位無環(huán)流

2.多項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)有源逆變的條件可總結(jié)如下（）。

A.直流側(cè)有直流源E，電動(dòng)勢(shì)方向與電流方向一致
B.∣E∣>∣Ud∣
C.逆變角β<90º
D.電路一定要串接大電感維持電流連續(xù)平穩(wěn)

3.多項(xiàng)選擇題晶閘管逆變電路可采用的換流方式有（）。

A.負(fù)載換流
B.脈沖強(qiáng)迫換流
C.器件換流
D.電網(wǎng)電壓換流

4.多項(xiàng)選擇題晶閘管鋸齒波觸發(fā)電路至少含有以下（）部分。

A.同步環(huán)節(jié)
B.鋸齒波形成及移相控制環(huán)節(jié)
C.脈沖形成、放大和輸出環(huán)節(jié)
D.脈沖保護(hù)環(huán)節(jié)

5.多項(xiàng)選擇題相控整流―直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)在輕載時(shí)出現(xiàn)電流斷續(xù)，電流斷續(xù)時(shí)機(jī)械特性（）

A.與電流連續(xù)時(shí)沒有差別
B.理想空載轉(zhuǎn)速升高
C.機(jī)械特性顯著變軟
D.電機(jī)發(fā)生堵轉(zhuǎn)

6.多項(xiàng)選擇題整流變壓器不僅能使整流電路與電網(wǎng)隔離，還可以通過合理選擇U2（）。

A.提高整流裝置的功率因數(shù)
B.減小電源容量
C.減少高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響
D.降低晶閘管所承受的最大電壓

7.多項(xiàng)選擇題MCT是一種新型電力電子器件，具有以下特點(diǎn)（）。

A.通態(tài)壓降小，約為1.1V，僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會(huì)損害器件

8.多項(xiàng)選擇題使用功率MOSFET時(shí)要注意（）。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過電壓保護(hù)

9.多項(xiàng)選擇題功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求是（）。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

10.多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快