單項選擇題半導體材料的電阻率與載流子濃度有關，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）

A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變


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1.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯

2.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞

3.單項選擇題正確的框圖簡要說明硅片制備主要工藝流程是（）

A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包

4.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

A、3
B、5
C、4
D、2

6.單項選擇題如何從石英砂制取硅？說明從石英到單晶硅的工藝的簡要框圖正確的是（）

A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長

7.單項選擇題關于晶體下列說法錯誤的是（）

A.調整晶體生長的熱系統(tǒng)，使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調節(jié)拉晶的運行參數(shù)，例如對于凸向熔體的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用結晶潛熱使界面趨于平坦
C.調整晶體或者坩堝的轉速，調整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值

8.單項選擇題硅片制備主要工藝流程是（）

A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包

9.單項選擇題半導體硅工業(yè)產(chǎn)品不包括（）①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅

A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④

10.單項選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）

A.化學清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗