A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
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A、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到1N/cm
C、扯斷伸長(zhǎng)率精確到1%
D、扯斷伸長(zhǎng)率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標(biāo)≥800N/50mm
B、最大拉力時(shí)伸長(zhǎng)率指標(biāo)≥40%
C、耐熱性指標(biāo)為70℃，2h無位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標(biāo)為-25℃，無裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
PN結(jié)的基本特性是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；