A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
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A、試件任一端涂蓋層不應(yīng)與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應(yīng)超過胎基
C、試件無流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個試件符合要求可判定為合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
A、斷裂拉伸強度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強度精確到1N/cm
C、扯斷伸長率精確到1%
D、扯斷伸長率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標≥800N/50mm
B、最大拉力時伸長率指標≥40%
C、耐熱性指標為70℃,2h無位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標為-25℃,無裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時延伸率
D、耐熱性
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()