A、取中值作為結(jié)果
B、取最小值作為結(jié)果
C、取最大值作為結(jié)果
D、取平均值作為結(jié)果
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A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
A、試件任一端涂蓋層不應與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應超過胎基
C、試件無流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個試件符合要求可判定為合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
A、斷裂拉伸強度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強度精確到1N/cm
C、扯斷伸長率精確到1%
D、扯斷伸長率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標≥800N/50mm
B、最大拉力時伸長率指標≥40%
C、耐熱性指標為70℃,2h無位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標為-25℃,無裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時延伸率
D、耐熱性
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
可用作硅片的研磨材料是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。