A、鋁基軸承合金
B、鉛基軸承合金
C、銅基軸承合金
D、鋅基軸承合金
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你可能感興趣的試題
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
A、Q235
B、45
C、60Si2Mn
D、T12
A、0.02%
B、0.77%
C、2.11%
D、4.3%
A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
A、淬火+低溫回火
B、滲碳后淬火+低溫回火
C、調質后表面淬火
D、正火
A、低碳低合金鋼
B、中碳低合金鋼
C、高碳低合金鋼
D、低碳中合金鋼
A、調質
B、淬火+低溫回火
C、滲碳
D、滲碳后淬火+低溫回火
A、Acl+30—50C
B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
A、強度硬度下降,塑性韌性提高
B、強度硬度提高,塑性韌性下降
C、強度韌性提高,塑性韌性下降
D、強度韌性下降,塑性硬度提高
A、晶粒的相對滑動
B、晶格的扭折
C、位錯的滑移
D、位錯類型的改變
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
改良西門子法的顯著特點不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()