A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
A、完全退火
B、再結(jié)晶退火
C、正火
D、去應(yīng)力退火
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
A、形成了高密度位錯
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。