A、初始水解期
B、鈣礬石形成期
C、C3S水化期
D、結(jié)構(gòu)形成和發(fā)展期
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A、抗凍性
B、堿-集料反應(yīng)
C、抗炭化性
D、徐變性
A、穩(wěn)定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動性好
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗(yàn)公式表示
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()