A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
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A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動性好
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗(yàn)公式表示
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。