A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
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A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
A、誘導(dǎo)期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
A、色散
B、玻璃的組成
C、溫度的影響
D、波長(zhǎng)的影響
A、色散
B、反射
C、吸收
D、透過(guò)
A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴(kuò)展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列是晶體的是()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()