單項(xiàng)選擇題零件的材料組織或密集的細(xì)小缺陷在熒光屏只產(chǎn)生許多小信號顯示叫做()。

A、底面反射
B、表面反射
C、缺陷反射
D、雜波


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1.單項(xiàng)選擇題焊縫斜角探傷時,如采用直射法,應(yīng)該考慮()等干擾回波的影響。

A、結(jié)構(gòu)反射和變型波
B、板材底面回波
C、三角反射
D、以上全部

2.單項(xiàng)選擇題在探測工件側(cè)壁附近的缺陷時,由于存在著(),所以探傷靈敏度會明顯偏低。

A、側(cè)壁干擾
B、61°角反射波
C、工件底面不平
D、以上都對

3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)要求探頭有最大靈敏度時()。

A、應(yīng)使用直探頭
B、要使用大晶片探頭
C、壓電元件應(yīng)在其基頻上激發(fā)
D、探頭的頻帶應(yīng)盡可能寬

4.單項(xiàng)選擇題試塊的最小幾何尺寸根據(jù)幾何尺寸可能產(chǎn)生的干擾雜波必須比參考回波遲到()。

A、1/2λ以上
B、2λ以上
C、4λ以上
D、以上都不對

5.單項(xiàng)選擇題試塊的最小幾何尺寸根據(jù)()。

A、探頭耦合面幾何尺寸來決定
B、根據(jù)試塊材料決定
C、幾何尺寸可能產(chǎn)生的干擾雜波必須比參考回波遲到4λ以上
D、以上都不對

6.單項(xiàng)選擇題采用雙晶直探頭檢驗(yàn)大口徑“管座角焊縫”時,調(diào)節(jié)探傷靈敏度應(yīng)采用()。

A、底波計(jì)算法
B、試塊法
C、通用AVG曲線法
D、以上都可以

7.單項(xiàng)選擇題直接接觸法探傷可以使用()。

A、直探頭
B、斜探頭
C、雙晶探頭
D、以上都可以

8.單項(xiàng)選擇題下列()晶片發(fā)射縱波的近場區(qū)最長。

A、1MHzφ14mm
B、2.5MHzφ14mm
C、1MHzφ20mm
D、25MHzφ30mm

9.單項(xiàng)選擇題以下()1MHz探頭通常具有最佳的時間或垂直距離的分辨力。

A、無背襯石英探頭
B、帶酚醛樹脂背襯的石英探頭
C、帶酚醛樹脂背襯的鈦酸鋇探頭
D、帶環(huán)氧樹脂背襯的硫酸鋰探頭

10.單項(xiàng)選擇題2.5PB20Z表示()。

A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對

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渦流檢測中的對比試樣的()和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。

題型:單項(xiàng)選擇題

隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導(dǎo)率測量()測量功能的通用型儀器。

題型:單項(xiàng)選擇題

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題型:單項(xiàng)選擇題

無損探傷檢測采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長范圍為()mm,峰值波長為365mm。

題型:單項(xiàng)選擇題

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題型:單項(xiàng)選擇題

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題型:單項(xiàng)選擇題

在聲束垂直試件表面時,所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。

題型:單項(xiàng)選擇題

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磁性測厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測量方法。

題型:單項(xiàng)選擇題

對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。

題型:單項(xiàng)選擇題