A、射線源種類或管電壓有關(guān)
B、被檢材料種類和密度
C、X光管陽(yáng)極靶原子序數(shù)有關(guān)
D、被檢材料的原子序數(shù)
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A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
A、特征X射線
B、示性X射線
C、熒光輻射
D、以上都對(duì)
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、連續(xù)X射線
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、以上都是
A、中子
B、分子
C、光子
D、光子、中子
A、1.6726×10-24克
B、3.167×10-27克
C、9.109×10-31克
D、5.478×10-24克
A、像質(zhì)計(jì)
B、膠片
C、評(píng)定尺
D、增感屏
A、報(bào)警電路
B、接收電路
C、同步電路
D、時(shí)基電路
最新試題
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
鋁合金電導(dǎo)率的渦流檢測(cè)中硬度檢驗(yàn)是一種()方法。
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為()mm,峰值波長(zhǎng)為365mm。