A、左移
B、右移
C、上移
D、下移
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A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、電子對(duì)生成效應(yīng)
D、電離效應(yīng)
A、射線源種類或管電壓有關(guān)
B、被檢材料種類和密度
C、X光管陽(yáng)極靶原子序數(shù)有關(guān)
D、被檢材料的原子序數(shù)
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
A、特征X射線
B、示性X射線
C、熒光輻射
D、以上都對(duì)
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、連續(xù)X射線
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、以上都是
A、中子
B、分子
C、光子
D、光子、中子
A、1.6726×10-24克
B、3.167×10-27克
C、9.109×10-31克
D、5.478×10-24克
最新試題
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
掃查方式一般視試件的()而定。
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。