A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
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A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
A.接高于2V的電壓
B.接另一TTL電路的輸出高電平
C.接地
D.懸空
A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個(gè)TTL電路的輸出
D.懸空
A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.發(fā)射區(qū)
最新試題
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
電可擦除的PROM器件是()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。