A.接相應(yīng)的邏輯電平
B.與有用輸入端并接
C.懸空
D.接電源
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A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
A.TTL集成門電路的電源電壓比CMOS集成門電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門電路的功耗比CMOS集成門電路的功耗低。
C.TTL與非門的輸入端可以懸空,CMOS與非門的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門和CMOS與非門的輸入端都可以懸空。
A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動(dòng)態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
最新試題
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
電可擦除的PROM器件是()
一個(gè)兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門電路為()
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡(jiǎn)述它們的作用。