A、10±2
B、20±2
C、10±5
D、20±5
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你可能感興趣的試題
A、電熱鼓風干燥箱
B、天平
C、材料試驗機
D、恒溫水槽
A、100
B、150
C、200
D、250
A、150mm
B、300mm
C、450mm
D、600mm
A、100.0.1
B、100.1
C、100.0.5
D、100.0.01
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、1
B、2
C、3
D、4
A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%
A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
A、1
B、2
C、3
D、4
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。