A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計尺寸
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A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀質量
B、密度等級
C、強度等級
D、相對含水率
A、一般規(guī)定
B、技術要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應采用防凍液作為凍融介質
C、測溫試件應采用純凈水作為凍融介質
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應高于凍融試驗試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
硅片拋光在原理上不可分為()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
PN結的基本特性是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列是晶體的是()。
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;