A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計尺寸
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、密度等級
C、強度等級
D、相對含水率
A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗試件
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。