A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
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A、500
B、600
C、1100
D、1400
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計尺寸
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀質量
B、密度等級
C、強度等級
D、相對含水率
A、一般規(guī)定
B、技術要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
可用作硅片的研磨材料是()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()