A.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是離散的信號(hào);
B.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是連續(xù)的信號(hào);
C.屬于二值信號(hào),用高電平和電平來(lái)表示;
D.無(wú)規(guī)律變化信號(hào)。
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A.小規(guī)模集成電路(SSI)
B.中規(guī)模集成電路(MSI)
C.大規(guī)模集成電路(LSI)
D.超大規(guī)模集成電路(VLSI)
A.接相應(yīng)的邏輯電平
B.與有用輸入端并接
C.懸空
D.接電源
A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
A.TTL集成門(mén)電路的電源電壓比CMOS集成門(mén)電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門(mén)電路的功耗比CMOS集成門(mén)電路的功耗低。
C.TTL與非門(mén)的輸入端可以懸空,CMOS與非門(mén)的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門(mén)和CMOS與非門(mén)的輸入端都可以懸空。
A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動(dòng)態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
最新試題
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
TTL與非門(mén)輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()