A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
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A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強度等級
D、密度等級
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時;
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時;
C、正常生產(chǎn)時,每半年進(jìn)行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上,恢復(fù)生產(chǎn)時。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
A、500
B、600
C、1100
D、1400
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列哪個不是單晶常用的晶向()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列是晶體的是()。
PN結(jié)的基本特性是()