A、粉煤灰應符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應符合GB175的規(guī)定
D、水泥應符合JC/T175的規(guī)定
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A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強度等級
D、密度等級
A、新廠生產試制定型鑒定時;
B、正式生產后原材料、工藝等有較大改變時;
C、正常生產時,每半年進行一次;
D、產品停產三個月以上,恢復生產時。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
A、500
B、600
C、1100
D、1400
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計尺寸
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀質量
B、密度等級
C、強度等級
D、相對含水率
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數,它與()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()