A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
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A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
A、500
B、600
C、1100
D、1400
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計(jì)尺寸
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、密度等級(jí)
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、相對(duì)含水率
A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
PN結(jié)的基本特性是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();