A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級
D、干燥收縮
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A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級
D、密度等級
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時(shí);
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時(shí);
C、正常生產(chǎn)時(shí),每半年進(jìn)行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上,恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
A、500
B、600
C、1100
D、1400
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計(jì)尺寸
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。