A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
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A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、密度等級(jí)
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時(shí)；
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時(shí)；
C、正常生產(chǎn)時(shí)，每半年進(jìn)行一次；
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
A、500
B、600
C、1100
D、1400
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計(jì)尺寸
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、密度等級(jí)
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、相對(duì)含水率
A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。