A、5~8
B、6~10
C、7~9
D、6~12
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A、100mm×100mm×100mm
B、100mm×100mm×400mm
C、40mm×40mm×160mm
D、100mm×100mm×300mm
A、10±2
B、20±2
C、10±5
D、20±5
A、電熱鼓風(fēng)干燥箱
B、天平
C、材料試驗機
D、恒溫水槽
A、100
B、150
C、200
D、250
A、150mm
B、300mm
C、450mm
D、600mm
A、100.0.1
B、100.1
C、100.0.5
D、100.0.01
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、1
B、2
C、3
D、4
A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()