A、B02
B、B03
C、B08
D、B09
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A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強(qiáng)度
D、干密度
A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、密度等級(jí)
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時(shí);
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時(shí);
C、正常生產(chǎn)時(shí),每半年進(jìn)行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上,恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
可用作硅片的研磨材料是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
硅片拋光在原理上不可分為()