A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強(qiáng)度
D、干密度
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A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級
D、密度等級
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時;
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時;
C、正常生產(chǎn)時,每半年進(jìn)行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上,恢復(fù)生產(chǎn)時。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
A、500
B、600
C、1100
D、1400
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列是晶體的是()。