A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
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A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強(qiáng)度
D、干密度
A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級
D、密度等級
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時(shí);
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時(shí);
C、正常生產(chǎn)時(shí),每半年進(jìn)行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上,恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
硅片拋光在原理上不可分為()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()